紫外增強型APD在紫外波段具有非常高的響應度，它利用雪崩效應放大入射光信號，因此在極低光強下也能實現高效探測。其光譜響應范圍可以延伸至255nm，目前主要的應用領域包括：醫療檢測、熒光分析等。

紅綠光增強型APD的響應峰值為650nm，在紅綠光波長范圍具有非常高的響應度，非常適合高速微弱可見光探測，是目前可見光測距儀的理想選擇。主要的應用領域包括：紅綠激光測距儀、激光掃描儀、光通信等。

可見近紅外型APD峰值在800nm附近，是覆蓋范圍400nm-1100nm的通用型APD，只需提供較低的反向偏壓就可以獲得較大的增益，擁有著速度快、暗電流低，響應度較高等優點。主要的應用領域包括：激光測距、弱光檢測、激光掃描、光通信等。

近紅外增強型APD在905nm有極高的量子效率和響應度，有目前最小的芯片尺寸和各類特殊封裝，專為激光雷達(LiDAR)和激光測距儀而設計，部分器件能適應車載等苛刻的高溫高濕條件。應用：激光雷達、激光測距、安檢掃描、3D測量、激光通信。

1064nm增強型APD是優化用于探測1064nm波長（近紅外區域）的高靈敏度光電探測器。在850nm-1000nm波段的量子效率高達80%以上，具有響應速度高、暗電流低等優點。應用：1064nm激光測距等，是工業、科研和軍事領域的重要激光波段。

前置放大電路增強型硅雪崩光電二極管[silicon avalanche photodiodes (Si-APD) with hybrid amplifier]可最大程度地減少噪聲和漂移，提升探測信噪比。同時減少了對外部電路的需求，以便于在各類光電系統中快速集成，實現方便客戶進行后續的電路設計的作用。

我們所提供的近紅外增強型Si-APD陣列主要針對MEMS和FLASH型激光雷達，保持單顆APD性能的同時提高系統分辨率，有效降低串擾，并且有多種像元尺寸、排列方式和適應不同條件的封裝可供選擇，方便客戶在最終定制前挑選出最適合的陣列方案。

Si APD模塊采用低噪聲硅APD，配有匹配的前置放大器和集成高壓電源，可以輕松快速地集成到各類光電系統中去，以便于客戶后續的設計和生產。根據具體應用需求的不同，我們可以提供不同型號的Si APD模塊。

多元陣列模塊是由多個獨立的雪崩光電二極管（APD）單元組成的光電探測器模塊。該模塊將多個APD單元排列成陣列形式，配合集成的信號處理電路和控制系統，能夠同時探測多個位置或方向上的信號。

貫通型硅雪崩光電二極管[reach-through or punch-through (PT) silicon avalanche photodiodes (Si-APD)]采用“貫通、穿通、拉通”(reach-through or punch-through)結構實現特定擊穿電壓下快通慢耗，具有極低的噪聲和暗電流，出色的量子效率和速度，適用于極低光照度的監測。我司短交期供貨reach-through Si-APD有多種封裝包括尾纖、耦合[fiber-pigtailed (FP) or fiber-coupled (FC)]可選，這使得該種Si-APD能夠用于各種要求苛刻的應用，主要包括光譜學、熒光檢測、激光雷達和醫療設備等。

液氮、斯特林、半導體制冷型硅雪崩光電二極管[liquid nitrogen (LN2) or Stirling or thermoelectrically (TE) cooled silicon avalanche photodiode (Si-APD)]能搭配先進制冷技術有效地降低熱噪聲和暗電流，從而顯著提升對弱光信號的探測能力，提升器件自身的信噪比和穩定性。這種Si-APD尤其在高精度探測應用中表現出色，具體制冷方式的選擇取決于應用需求和所需的工作溫度。