X-ray高能粒子探測器[high-energy radiation silicon photodetectors (Si-PD)]是能對高能粒子響應的器件(如各種X射線及Gamma粒子等)。廣泛應用于：X光安檢設備、gamma粒子計數器、高能粒子探測、醫療X影像、醫療及工業CT等。

紫外增強型硅光電二極管[ultraviolet (UV) enhanced silicon photodiodes (Si-PD)]光譜響應至190nm，紫外區響應優異。廣泛應用于紫外分光光度計、熒光探測、生化分析、紫外曝光計及氣體分析等領域。

藍光增強型硅光電二極管[blue enhanced silicon photodiodes (Si-PD)]對藍綠光譜（350-650nm）的響應度做了特別的優化，與通用型相比，藍綠光波長暗電流更低的同時，響應度更加理想。廣泛應用于：醫療儀器、分光光度計、各類分析儀器等。

可見近紅外型光電二極管[visible near-infrared (VNIR) silicon photodiodes (Si-PD)]，探測波段340nm-1100nm，穩定性卓越，內置高阻抗設計降低暗電流，高響應度。廣泛應用于功率計、分光光度計、氣體分析及顆粒物計數等領域。

1064nm增強型光電探測器[enhanced YAG optimized silicon photodetectors (Si-PD)]，專為1064nm優化，波長響應寬廣至340-1100nm。穩定性卓越，高分流電阻、高響應度與低暗電流特性并存，適用于激光瞄準、精確定位及制導系統。

背部感光型硅光電二極管[back-illuminated silicon photodiodes (Si-PD)]有效減少邊緣死區，提升性能，其緊湊封裝接近芯片尺寸，便于陣列拼接與閃爍體安裝。廣泛應用于X光檢測、計算機斷層掃描及通用工業測量等領域。

高速響應型硅光電二極管[high speed silicon photodiodes (Si-PD)]是專為高速高帶寬應用設計的優化器件，兼具高響應度、低暗電流特性，工作偏壓下能實現百皮秒級上升沿時間。廣泛應用于視頻系統、工業控制、光通信及激光監測等領域。

內置濾色片型硅光電二極管[detector-filter combination silicon photodiodes (Si-PD)]，集成濾色片于窗口，精準篩選特定波長光，有效抵御環境光干擾，顯著提升器件靈敏度與信噪比，使用便捷高效。

內置前放型硅光電二極管[amplifier hybrids silicon photodiodes (Si-PD)]融合探測器與前置放大器，實現低噪聲低漂移性能，帶寬覆蓋DC至MHz，顯著提升信噪比，便于客戶后續電路設計，靈活高效。

多元陣列硅光電二極管[silicon photodiodes (Si-PD) multi-element array]由高一致性像元構成，低串擾設計。適用于動態光斑捕捉、多波長分析，廣泛應用于光譜儀、光斑定位、CT掃描、高速光度計及醫療生化儀器，提升測量精度與效率。

我們提供高性能硅光電二極管(silicon photodiodes, Si-PD) Si-PIN芯片(Chip)，專為靈活應用設計而生，支持多種電路集成方案，助力您輕松實現創新應用與定制設計。

尾纖耦合型硅光電二極管[pigtailed silicon photodiodes (Si-PD)]，優化光信號傳輸與連接，便于集成至光學系統。該類型二極管具備高耦合效率與穩定性，提升整體性能。

硅光電二級管模塊(Si-PIN modules)，集成精密前置放大電路，顯著提升信號傳輸質量，確保高靈敏度、極速響應與超低噪聲表現。廣泛應用于光通信、光譜精密分析及生物醫學探測，為科研與工業應用提供精準、可靠的光電轉換解決方案。