通用型高響應銦鎵砷雪崩光電二極管[high-responsivity indium gallium arsenide avalanche photodiodes (InGaAs-APD)]響應波長1000-1630nm，內增益機制顯著增強信號，尤其適用于1550nm探測。增益遠超通用型InGaAs-PD，是長波通信等應用的理想選擇。 派錸茲科貿短交期供貨高端通用型高響應銦鎵砷雪崩光電二極管。

內置前放型銦鎵砷雪崩光電二極管[preamplified (AMP) indium gallium arsenide avalanche photodiodes (InGaAs-APD)]集成高速前置放大器，有效降低噪聲與漂移，顯著提升探測信噪比。專為高精度需求設計，如光纖通信、光譜分析，簡化后續電路設計。 派錸茲科貿短交期供貨高端內置前放型銦鎵砷雪崩光電二極管。

高響應尾纖、耦合型銦鎵砷雪崩光電二極管[high-responsivity fiber-pigtailed (FP) or fiber-coupled (FC) indium gallium arsenide avalanche photodiodes (InGaAs-APD)]，支持多光纖接口與不同尺寸尾纖，靈活對接各類系統。高靈敏度、寬波長覆蓋，專為1550nm等長波長通信、激光雷達等領域設計，提升信號檢測精度與效率。派錸茲科貿短交期供貨高端高響應尾纖、耦合型銦鎵砷雪崩光電二極管。

銦鎵砷雪崩光電二極管高敏模組[high-sensitivity indium gallium arsenide avalanche photodiodes (InGaAs-APD) modules]，專為近紅外光譜設計，結合了InGaAs材料的高靈敏度和APD的雪崩倍增效應，實現了超長距離、超弱光信號的精確探測。廣泛應用于光通信等領域。 派錸茲科貿短交期供貨高端銦鎵砷雪崩光電二極管高敏模組。