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型號
探測器材料
探測器材料-底層
光敏尺寸
光敏尺寸-底層
響應波長-峰值
響應度-峰值
響應波長-底層
響應度-底層
封裝
封裝類型
窗口
引腳數
PIN-DSS Si Si ?2.54 mm ?2.54 mm 950 nm 0.45A/W 1060 nm 0.12A/W TO-5 TO - 4
PIN-DSIN Si InGaAs ?2.54 mm ?1.50 mm 950 nm 0.55A/W 1300 nm 0.60A/W TO-5 TO - 4
PIN 20157 InGaAs InGaAs ?2 mm ?2 mm 1550 nm 1A/W 1650 nm 0.15A/W TO-5 TO - 4
PIN-DSIN-TEC Si InGaAs ?2.54 mm ?1.50 mm 950 nm 0.55A/W 1300 nm 0.60A/W TO-8 TO - 8
DSD039039SSB-01 ------------
PIN-DSin21 ------------
S_IGA-050_030 Si InGaAs ?5 mm ?3 mm 900 nm 0.5A/W 1300 nm 0.6A/W TO-8 TO - 4
UVS/IGA-025/020 Si InGaAs ?2.5 mm ?2.0 mm 850 nm 0.6A/W 1300 nm 0.6A/W TO-5 TO - 4
S/S-025 Si Si ?2.5 mm ?2.5 mm 850 nm 0.5A/W 1050 nm 0.1A/W TO-5 TO - 4
IGA/IGA-020 InGaAs InGaAs ?2.0 mm ?2.0 mm 1300 nm 0.9A/W 1750 nm 0.05A/W TO-5 TO - 4
BICIG17X1.3SIN3.09M Si InGaAs ?3 mm ?1.3 mm 880 nm 0.4A/W 1500 nm 0.55A/W TO-39 TO - 4
PB25G20209X-Si Si PbS ?3 mm 2 × 2 mm - - - 8.0E+05V/W TO-39 TO - 4
WS7.56 TO5 Si Si 2.75 × 2.75 mm 2.75 × 2.75 mm 550 nm 0.2A/W 850 nm 0.45A/W TO-5 TO - 3
WS7.56 TO5I Si Si 2.75 × 2.75 mm 2.75 × 2.75 mm 550 nm 0.2A/W 850 nm 0.45A/W TO-5 TO - 4
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