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室溫反型層、平面擴散紫外增強硅光電二極管[room temperature (RT) inversion layer (IL) and planar diffused (Pl-Diff) ultraviolet-(UV)-enhanced silicon photodiodes (Si-PD)]靈敏度高,快速響應(yīng)紫外光,低噪聲,適用于高精度紫外測量。其廣泛應(yīng)用于光電測量、光譜分析、光通信及紫外線探測等領(lǐng)域的需求。

近紅外增強型[near-infrared (NIR) enhanced ultraviolet (UV) enhanced silicon photodiodes (Si-PD)]探測器,其探測范圍廣泛覆蓋紫外至近紅外波段,能夠精準(zhǔn)捕捉并高效轉(zhuǎn)換光信號為電信號。該系列探測器以低噪聲和快速響應(yīng)為特點,廣泛應(yīng)用于光電測量、光譜分析、光通信等多個領(lǐng)域。

近紅外抑制型[near-infrared (NIR) suppressed ultraviolet (UV) enhanced silicon photodiodes (Si-PD)]顯著增強紫外響應(yīng),同時有效抑制近紅外干擾,適用于熒光檢測、環(huán)境監(jiān)測及生物醫(yī)學(xué)等需排除近紅外干擾的紫外應(yīng)用。其特點包括高靈敏度、低噪聲及卓越線性度,性能卓越。

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