砷化鎵光電二極管(gallium arsenide photodiodes, GaAs-PD)包含高速砷化鎵光電探測(cè)器(gallium arsenide photodetectors, GaAs-PD)和寬動(dòng)態(tài)范圍的跨阻放大器，具有低暗電流、高響應(yīng)度、低電容等優(yōu)點(diǎn)，密封在4引腳的TO封裝內(nèi)。

砷化鎵光電二極管(gallium arsenide photodiodes, GaAs-PD)PIN光電探測(cè)器陣列(photodetector array)專為高速光纖接收器和監(jiān)控應(yīng)用而設(shè)計(jì)，光譜響應(yīng)在650nm到860nm，具有AR涂層，對(duì)電信波長敏感，是SM或MM光纖的完美接收器。

砷化鎵光電探測(cè)器(gallium arsenide photodetectors, GaAs-PD)屬于近紅外光電二極管[near infrared (NIR) photodiodes]，我們還可以根據(jù)客戶的應(yīng)用需要提供芯片。