高速通用型銦鎵砷光電二極管[standard high-speed indium gallium arsenide photodiodes (InGaAs-PD)]的截止波長為1.7μm，在1100nm到1620nm波長范圍內(nèi)有出色的響應(yīng)，對(duì)微弱信號(hào)具有高靈敏度。有多種配置可選，可帶透鏡、前放電路、插座式或尾纖封裝。主要應(yīng)用包括：高速光通信、Gbit吉位寬高速以太網(wǎng)、光纖通道、ATM等。

高靈敏度通用型銦鎵砷光電二極管[standard high-sensitivity indium gallium arsenide photodiodes（InGaAs-PD)]采用截止波長為2.6um的PIN光電二極管，專為要求苛刻的光譜和輻射測(cè)量應(yīng)用而設(shè)計(jì)，在寬光譜范圍內(nèi)具有卓越的響應(yīng)度。

高靈敏制冷型銦鎵砷光電二極管[thermoelectrically cooled (TEC) high-sensitivity indium gallium arsenide photodiodes (InGaAs-PD)]采用截止波長為2.6um的 PIN 光電二極管，專為要求苛刻的光譜和輻射測(cè)量應(yīng)用而設(shè)計(jì)，其內(nèi)部帶有制冷裝置，在寬光譜范圍內(nèi)具有卓越的響應(yīng)度。

高量子效率[high quantum efficiency (HQE) indium gallium arsenide photodiodes (InGaAs-PD)]系列主要應(yīng)用于壓縮光領(lǐng)域，這些光電二極管針對(duì)特定波長、入射角和偏振進(jìn)行了量身定制。

我們可根據(jù)應(yīng)用需求提供InGaAs光電二極管芯片，芯片采用帶有AR涂層平窗的TO系列封裝。

4引腳TO封裝的內(nèi)置前放高響應(yīng)銦鎵砷光電二極管紅外光電探測(cè)器[high-responsivity amplified indium gallium arsenide photodiodes（InGaAs-PD)]集成了寬動(dòng)態(tài)范圍跨阻放大器，為高速信號(hào)放大提供理想條件，賦予探測(cè)器卓越的靈敏度。

多元陣列高速系列中每個(gè)AR涂層元件都能達(dá)到2.5Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，在1100nm到1620nm波長范圍內(nèi)有高響應(yīng)度，專為多通道光纖應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

多元陣列高靈敏度系列擁有更高的靈敏度，設(shè)計(jì)用于過程控制、lR 光譜和生物醫(yī)學(xué)分析。

尾纖耦合系列采用光纖尾纖封裝，單模/多模光纖與TO透鏡蓋封裝的設(shè)計(jì)提高了耦合效率和穩(wěn)定性。其高響應(yīng)度和低電容，使其成為局域網(wǎng)等高速通信及監(jiān)控/儀器系統(tǒng)中超高比特率接收器的理想選擇。

InGaAs PIN模塊專為對(duì)低噪聲硅或銦鎵砷探測(cè)器感興趣的客戶設(shè)計(jì)。該系列集成在一個(gè)小型封裝中，可以非常容易地組裝到光學(xué)裝置中，還可以根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的連接器或定制模塊。

InGaAs Line Array (LA) Diver (DRV) TEESS陣列驅(qū)動(dòng)套件包括傳感器板、處理和控制單元、控制和數(shù)據(jù)分析軟件、電纜套件等組成部分。支持半導(dǎo)體制冷(thermoelectrically cooled, TEC)。