經過優化的鍺光電二極管(germanium PIN photodiodes, Ge-PIN-PD)可在近紅外到紅外區域工作,在850nm到1600nm之間具有響應,采用TO和各種光纖耦合封裝。此器件在低反向偏壓條件下工作時需要使用高分流電阻,在高帶寬應用中需要使用低電容。
鍺探測器模塊[Ge-PD receiver (Rcvr) modules (Mod)]是一種能夠在環境溫度下工作并保持高性能的光電二極管/接收器,配備有雙增益場效應管輸入的跨阻放大器。
經過優化的鍺光電二極管(germanium PIN photodiodes, Ge-PIN-PD)可在近紅外到紅外區域工作,在850nm到1600nm之間具有響應,采用TO和各種光纖耦合封裝。此器件在低反向偏壓條件下工作時需要使用高分流電阻,在高帶寬應用中需要使用低電容。
鍺探測器模塊[Ge-PD receiver (Rcvr) modules (Mod)]是一種能夠在環境溫度下工作并保持高性能的光電二極管/接收器,配備有雙增益場效應管輸入的跨阻放大器。